PIPS探测器

PIPS离子注入钝化硅探测器是现代半导体技术的产物，使用离子注入装置，对离子进行加速，经过筛选、聚焦和再加速，最终射入硅片内部，整个过程都在真空环境下进行。通过调节离子束的强度和能量，可以控制掺杂离子在硅片中停留的深度和浓度，并且能够精确控制掺杂离子形状。

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产品详情

PIPS探测器与硅表面位垒探测器(SSB)和扩散结型探测器(DJ)类型相比，PIPS探测器具有很多优势：

1.所有结构边缘均埋置在内部-不需要使用环氧封边剂。

2.为了获得更好的能量分辨率，连接触点通过离子注入精确形成的，且更薄。

3.入射窗坚固耐用，可方便清洗擦拭。

4.漏电流一般为硅表面位垒探测器(SSB)和扩散结型探测器(DJ)的1/8到1/100。

5.入射窗(死层)厚度小于相应的硅表面位垒探测器(SSB)或扩散结型探测器(DJ)。

6.标准探测器可烘烤至100℃。