生长工艺: 提拉法
最大毛坯尺寸: ∅ 60 mm x 200 mm
可加工成品: 单晶和阵列
| GAGG-F | GAGG-T | GAGG-HL | GAGG-HR | |
| 密度(g/cm3) | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| 莫氏硬度(Moh) | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 折射率 | 1.91 | 1.91 | 1.91 | 1.91 |
光输出 (Photons/Mev) | 30,000 | 42,000 | 54,000 | 50,000 |
能量分辨率 (5x5x5 mm cubic, 662KeV) | 7% | 6% | 5% | 4.2% |
| 衰减时间(ns) | 50 | 90 | 150 | 150 |
最大发射波长(nm) | 520 | 530 | 530 | 530 |
抗辐射强度 (rad) | 107 | 107 | 107 | 107 |
| 潮解性 | No | No | No | No |
| 本底 | No | No | No | No |
GAGG是一种新型闪烁晶体，具有高发光强度，快衰减以及自身没有辐射本底等优点，目前在医疗、安检无损检测等领域应用广泛。上海烁杰开发出以上四种特征的GAGG晶体：快衰减(GAGG-F), 常规(GAGG-T), 高光输出(GAGG-H), 高能量分辨率（GAGG-HR），满足不同应用环境的需求。