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GAGGu6676u4f53
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  • GAGG: ce
  • 产品名称:

    GAGG晶体

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产品详情

生长工艺: 提拉法

最大毛坯尺寸: ∅ 60 mm x 200 mm

可加工成品: 单晶和阵列



GAGG-F
GAGG-TGAGG-HLGAGG-HR
密度(g/cm3)6.6
6.66.66.6
莫氏硬度(Moh)8
888
折射率1.91
1.911.911.91

光输出

(Photons/Mev)

30,000
42,00054,000
50,000

能量分辨率

(5x5x5 mm cubic, 662KeV)

7%
6%5%
4.2%
衰减时间(ns)50
90150150

最大发射波长(nm)

520
530530530

抗辐射强度

(rad)

107107107107
潮解性NoNoNoNo
本底NoNoNoNo


GAGG是一种新型闪烁晶体,具有高发光强度,快衰减以及自身没有辐射本底等优点,目前在医疗、安检无损检测等领域应用广泛。上海烁杰开发出以上四种特征的GAGG晶体:快衰减(GAGG-F), 常规(GAGG-T), 高光输出(GAGG-H), 高能量分辨率(GAGG-HR),满足不同应用环境的需求。