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GOS/CsI模组
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    GOS/CsI模组

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基于单晶硅Photodiode线列芯片,具有低暗电流,低电容,高响应,宽响应光谱的特点,与CsI和GOS薄膜等闪烁体组装在一起的高、低能探测器模组,可以有效的进行X射线双能探测成像,并且具有高灵敏度,高线性度以及高可靠的特性。


Scintillators parametersCsI(Tl)GOS ceramic
Peak emission of wavelength(nm)550510
Refractive index1.792.2
Decay time(ns)
1,0203,000
Afterglow(@20ms)<0.8%<0.01%
ColorTransparentLight yellow-green
Sensitivity non-uniformity(%)<15<15
Thickness(mm)50.5
Length x width(mm)25.4x3.525.4x3.5
Element pitch(mm)1.575None pixellated
Mechanical dimension of photodiode
Element pitch(mm)1.575
Element effective size(W x H mm)1.4x2.5
Number of Element16
Electrical and optical characters
Spectrum response range(nm)

ƛ: 350-1100

Peak sensitivity wavelength(nm)

ƛp:940

Light sensitivity(A/W)S: @550nm, Type 0.4, Min 0.36
Dark current(pA)ID: @-10mV, Typ 5, Max 20
Terminal capacitance(pF)Ct @0V, f=10kHz, Typ 41, Max 50
Absolute maximum rating
Reverse voltage(V)10
Operating temperature(degree C)-10 - 60
Storage temperature(degree C)-20 - 70
Operating humidity(%RH)30 - 90
Storage(%RH)40 - 95